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MCU 中內(nèi)部存儲器的數(shù)量取決于存儲器的分類方式。主要有兩種存儲器：隨機存取存儲器（RAM）和只讀存儲器（ROM）。但是，根據(jù)內(nèi)存性能不同，RAM 和 ROM 有不同的類型。這些不同類型的存儲器可用于各種功能，例如高速緩存、主存儲器、程序存儲器等。另一方面，存在內(nèi)存的虛擬與物理定義的問題。

RAM 的兩種主要類型是靜態(tài)隨機存取存儲器 (SRAM) 和動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM)。兩者都需要施加電壓來保存它們的信息。DRAM 很簡單，基本實現(xiàn)只需要一個晶體管和一個電容器。DRAM是所有內(nèi)存技術(shù)中使用最廣泛的一種。當(dāng)集成到 MCU 中時，它被稱為嵌入式 DRAM (eDRAM)。與用作外部存儲器的等效獨立 DRAM 芯片相比，eDRAM 的每比特成本更高。盡管如此，將 eDRAM 放置在與處理器相同的芯片上的性能優(yōu)勢仍超過了高性能應(yīng)用中的成本劣勢。

SRAM 比 eDRAM 更復(fù)雜，通常由六個晶體管實現(xiàn)。SRAM 比 DRAM 更快，因此非常適合集成到 MCU 中。它是最常用的內(nèi)部 MCU 內(nèi)存技術(shù)之一。SRAM 通常用作高速緩存和處理器寄存器。

MCU 中的非易失性存儲器包括閃存和電可擦可編程 ROM (EEPROM)。閃存是 EEPROM 的一種形式。它們之間的主要區(qū)別在于它們的管理方式；Flash 在塊級別進行管理（寫入或擦除），而 EEPROM 可以在字節(jié)級別進行管理。閃存可用于 NAND 和 NOR 架構(gòu)。NAND 閃存以塊為單位處理數(shù)據(jù)，讀取速度快于寫入速度。它可以快速傳輸多頁數(shù)據(jù)。它提供比 NOR 更高的單位面積容量，用于高密度存儲。NOR Flash支持更細粒度的操作，并提供高速隨機訪問。NOR Flash可以讀寫特定的數(shù)據(jù)。

Fujio Masuoka 在 1980 年代在東芝工作時發(fā)明了閃存。他的同事 Shoji Ariizumi 使用 Flash 一詞來描述新技術(shù)，因為擦除所有數(shù)據(jù)讓他想起了相機的 Flash。易失性和非易失性存儲器技術(shù)可以根據(jù)幾個性能標(biāo)準進行比較：

速度：易失性內(nèi)存通常更快

成本：易失性內(nèi)存成本更低

壽命：易失性存儲器的壽命更長。非易失性存儲器由于其重寫能力而具有有限的壽命。

能耗：DRAM等易失性存儲器需要重復(fù)數(shù)據(jù)刷新，這會消耗額外的功率。非易失性存儲器通常消耗較少的功率。