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一、MOS管柵源下拉電阻的作用
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。MOS是電壓驅(qū)動元件，對電壓很敏感，懸空的G很容易接受外部干擾使MOS導(dǎo)通，外部干擾信號對G-S結(jié)電容充電，這個(gè)微小的電荷可以儲存很長時(shí)間。
在試驗(yàn)中G懸空很危險(xiǎn)，很多就因?yàn)檫@樣爆管，G接個(gè)下拉電阻對地，旁路干擾信號就不會直通了，一般可以10~20K。這個(gè)電阻稱為柵極電阻。
作用1：為場效應(yīng)管提供偏置電壓；
作用2：起到瀉放電阻的作用(保護(hù)柵極G~源極S)；
第一個(gè)作用好理解，這里解釋一下第二個(gè)作用的原理。保護(hù)柵極G~源極S，場效應(yīng)管的G-S極間的電阻值是很大的，這樣只要有少量的靜電就能使他的G-S極間的等效電容兩端產(chǎn)生很高的電壓，如果不及時(shí)把這些少量的靜電瀉放掉，他兩端的高壓就有可能使場效應(yīng)管產(chǎn)生誤動作，甚至有可能擊穿其G-S極。這時(shí)柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉，從而起到了保護(hù)場效應(yīng)管的作用。
二、MOS管被擊穿的原因及解決方法
第一：MOS管本身的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓 (U=Q/C)，將管子損壞。
雖然MOS輸入端有抗靜電的保護(hù)措施，但仍需小心對待，在存儲和運(yùn)輸中最好用金屬容器或者導(dǎo)電材料包裝，不要放在易產(chǎn)生靜電高壓的化工材料或化纖織物中。組裝、調(diào)試時(shí)，工具、儀表、工作臺等均應(yīng)良好接地。要防止操作人員的靜電干擾造成的損壞，如不宜穿尼龍、化纖衣服，手或工具在接觸集成塊前最好先接一下地。對器件引線矯直彎曲或人工焊接時(shí)，使用的設(shè)備必須良好接地。
第二：MOS電路輸入端的保護(hù)二極管，其導(dǎo)通時(shí)電流容限一般為1mA，在可能出現(xiàn)過大瞬態(tài)輸入電流(超過10mA)時(shí)，應(yīng)串接輸入保護(hù)電阻。因此應(yīng)用時(shí)可選擇一個(gè)內(nèi)部有保護(hù)電阻的MOS管應(yīng)。還有，由于保護(hù)電路吸收的瞬間能量有限，太大的瞬間信號和過高的靜電電壓將使保護(hù)電路失去作用。所以焊接時(shí)電烙鐵必須可靠接地，以防漏電擊穿器件的輸入端，一般使用時(shí)，可斷電后利用電烙鐵的余熱進(jìn)行焊接，并先焊其接地管腳。
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