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自舉電容，主要應用電容的特性-----電壓不能突變，總有一個充電放電的過程而產生電壓自舉、電位自舉作用的。自舉電路也叫升壓電路，利用自舉升壓二極管，自舉升壓電容等電子元件，使電容放電電壓和電源電壓疊加，從而使電壓升高，有的電路升高的電壓能達到數倍電源電壓。
自舉是指通過開關電源MOS管和電容組成的升壓電路，通過電源對電容充電致其電壓高于VCC。最簡單的自舉電路由一個電容構成，為了防止升高后的電壓回灌到原始的輸入電壓，會加一個Diode.自舉的好處在于利用電容兩端電壓不能突變的特性來升高電壓。
舉個例子來說，如果MOS的Drink極電壓為12V，Source極電壓原為0V，Gate極驅動電壓也為12V，那么當MOS在導通瞬間，Soure極電壓會升高為Drink減壓減去一個很小的導通壓降，那么Vgs電壓會接近于0V，MOS在導通瞬間后又會關斷，再導通，再關斷……。如此下去，長時間在MOS的Drink極與Source間通過的是一個N倍于工作頻率的高頻脈沖，這樣的脈沖尖峰在MOS上會產生過大的電壓應力，很快MOS管會被損壞。如果在MOS的Gate與Source間接入一個小電容，在MOS未導通時給電容充電，在MOS導通，Source電壓升高后，自動將Gate極電壓升高，便可使MOS保持繼續導通。
對于MOSFET，導通的條件是柵-源極之間的電壓(Ugs)大于某個閾值，這個閾值同的管其值不盡相同。下圖所示是一個NMOS的半橋，對于低端的管子Q2，由于其源極接地，所以當要求Q2導通時，只要在Q2的柵極加個一定的電壓即可；但是，對于高端的管子Q1，由于其源極的電壓Us是浮動的，則不好在其柵極上施加電壓以使Q1的Ugs滿足導通條件。試想，理想下，Q2的導通電阻為0，即導通時，Q2的Uds為0，則Us=Ud，則要求Q2的柵極電壓Ug大于Ud。簡單地說，要求升壓。
高端管的驅動方法有幾個，如用隔離變壓器等。自舉型驅動IC具有簡單、實用的特點，目前被廣泛地使用。下面簡要地描述自舉的工作過程，目的是理清自舉的工作原理，更合理地設計電路、布局布線和器件選型。
電路簡圖
首先，如下圖，是一款MOSFET驅動IC的電路圖，值得注意：出于便于分析的初衷，對電路進行了簡化。
如上圖，這電路并不陌生，二極管D1和電容C1分別被稱為自舉二極管和自舉電容，有些IC把自舉二極管集成到IC內部。
把上圖的驅動作簡化，只留下它的輸出級，得到下圖：注：此圖為示意圖，只用于功能的描述。下圖的黃色框內可以看作開關，這樣便于下面分析理解。
充電過程
可以理解，半橋的兩個禁止同時導通。下圖是半橋低端管導通的示意圖。
如上圖所示，半橋的高端管關閉，而低端管開啟，這時泵二極管和泵電容組成充電回路。由上圖可以得到，+15V的電源經過泵二極管、泵電容、再經過半橋的低端管、再到地（電源負極），它們組成回路，對泵電容進行充電，使電容兩邊的電壓為15V，即Uc = 15V。
放電過程
這時再分析半橋低端管關閉的情況，如下圖所示：
由于半橋低端管關閉，上文所述的回路被截斷，泵二極管處于反向截止。由于高端管開啟，
所以Ug = Uc + Us。
可得 Ugs = Ug - Us = Uc 。
由于充電過程中，電容已被充電，所以Uc的電壓大概為15V。
即Ugs = 15V 。這個電壓可以開啟高端管的MOSFET。
至此，已完成一個PWM周期內，自舉電路的工作過程，可以理解為泵電容的充放電過程。
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