一鍵發(fā)布任務
發(fā)布成功
發(fā)布成功
贊賞金額：
支付金額：5元
支付方式：
贊賞成功！
你的贊賞是對作者最大的肯定~?
在了解mos管柵極電阻的作用之前，我們先了解一下mos管柵極及其他2個極的基礎知識。場效應管根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內阻極高，采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。場效應晶體管(FieldEffectTransistor縮寫(FET))簡稱場效應管。由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。
1、如果沒有柵極電阻，或者電阻阻值太小
MOS導通速度過快，高壓情況下容易擊穿周圍的器件。
2、柵極電阻阻值過大
MOS管導通時，Rds會從無窮大將至Rds(on)(一般0.1歐姆級或者更低)。柵極電阻過大時，MOS管導通速度過慢，即Rds的減小要經過一段時間，高壓時Rds會消耗大量功率，導致MOS管發(fā)燙。過于頻繁地導通會使熱量來不及發(fā)散，MOS溫度迅速升高。
3、在高壓下，PCB的設計也需要注意。柵極電阻最好緊靠柵極，并且導線不要與母線電壓平行分布。否則母線高壓容易耦合至下方導線，柵極電壓過高擊穿MOS管。
MOS管柵極串聯(lián)電阻作用的研究
與反向并聯(lián)的二極管一同構成硬件死區(qū)電路
驅動電路電壓源為mos結電容充電時經過柵極電阻，柵極電阻降低了充電功率，延長了柵極電容兩端電壓達到mos管開啟電壓的速度；結電容放電時經過二極管，放電功率不受限制，故此情況下mos管開啟速度較關斷速度慢，形成硬件死區(qū)。
限流
當使用含內部死區(qū)的驅動或不需要硬件死區(qū)時，是否可以省去柵極電阻呢？答案是不行。
當開啟mos管為結電容充電瞬間，驅動電路電壓源近似短接到地，當驅動電驢電壓源等價電源內阻較小時，存在過流燒毀驅動（可能是三態(tài)門三極管光耦甚至是單片機不能短接到地的io口等等）的風險。
消除振鈴
同時，由于pcb布線電感、布線電阻和結電容構成構成LCR震蕩，在布線電阻R及電壓源輸出阻抗較小的一般情況下，mos管柵極電壓波動可能十分明顯，造成振鈴現(xiàn)象使mos管開啟不穩(wěn)定。在柵極串接一個阻值合適的電阻，可減小震蕩的波動幅度，降低mos管開啟不穩(wěn)定的風險。
綜上所述：
1）如果需要使用基于二極管和電阻的純硬件死區(qū)，在二極管一側還需要考慮增加一個合適阻值的電阻來限制振鈴等現(xiàn)象。
2）如果需要使用基于二極管和電阻的純硬件死區(qū)，在結電容較小時，可以考慮在gs兩端并聯(lián)一顆合適大小的電容，與寄生電感和走線、電源阻抗一同形成時長精確可調的死區(qū)。
3）某些型號的mos管自帶柵極電阻 或 允許柵極dV/dt無窮大（一般手冊會特別強調，這是賣點），驅動給的開啟電壓很大，即使已經發(fā)生振鈴mos管也不會振蕩開啟/關閉。
關于我愛方案網(wǎng)
我愛方案網(wǎng)是一個電子方案開發(fā)供應鏈平臺，提供從找方案到研發(fā)采購的全鏈條服務。找方案，上我愛方案網(wǎng)!在方案超市找到合適的方案就可以直接買，沒有找到就到快包定制開發(fā)。我愛方案網(wǎng)積累了一大批方案商和企業(yè)開發(fā)資源，能提供標準的模塊和核心板以及定制開發(fā)服務，按要求交付PCBA、整機產品、軟件或IoT系統(tǒng)。更多信息，敬請訪問http://www.tiglon.com.cn
