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Dual Cool封裝技術成功升級 功率密度大幅上升
發布時間:2013-01-10 閱讀量:510 來源:我愛方案網 作者:
【導讀】空間受限型應用要求DC-DC電源的尺寸更小、電流更高,而設計人員也正面臨提升功率密度的同時節省電路板空間和降低熱阻的挑戰。基于對這一需求,飛兆半導體采用Dual Cool封裝的MOSFET的產品組合是一個集合功能、工藝和創新封裝技術的解決方案,從而使您的電子設計與眾不同。

飛兆半導體已擴展和改進了其采用Dual Cool封裝的產品組合,這種封裝屬于業界標準引腳排列封裝,帶有頂側冷卻,適用的產品中包括40-100V中壓產品系列。硅技術的進步結合Dual Cool技術,可提供卓越的開關性能以及低結至環境熱阻,其數值比標準5mm x 6mm MLP塑封封裝低四倍。

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成功升級Dual Cool封裝技術

中壓系列產品包括:40V FDMS8320LDC、60V FDMS86500DC、80V FDMS86300DC和100V FDMS86101DC。這些器件屬于同步整流MOSFET,適用于DC-DC轉換器、通信電源次級端整流和高端服務器/工作站應用。

特色及優勢:

FDMS8320LDC (40V)

·最大RDS(ON) = 1.1mΩ(當VGS = 10V,ID = 44A時);
·最大RDS(ON) = 1.5mΩ(當VGS = 4.5V,ID = 37A時)。

FDMS86500DC (60V)

·最大RDS(ON) = 2.3mΩ(當VGS = 10V,ID = 29A時);
·最大RDS(ON) = 3.3mΩ(當VGS = 8V,ID = 24A時)。

FDMS86300DC (80V)

·最大RDS(ON) = 3.1mΩ(當VGS = 10V,ID = 24A時);
·最大RDS(ON) = 4.0mΩ(當VGS = 8V,ID = 21A時);
·具有業內最低的RDS(ON),在額定電壓相同的條件下,與競爭對手的解決方案相比該數值低35%左右。

FDMS86101DC (100V)

最大RDS(ON) = 7.5mΩ(當VGS = 10V,ID = 14.5A時) 最大RDS(ON) = 12mΩ(當VGS = 6V,ID = 11.5A時)。

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