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6月8日消息，韓國存儲芯片大廠SK海力士宣布，其最新的238層堆疊的NAND Flash芯片在2022年8月開發完成后，目前已經開始量產，并且產品兼容性正在與一家全球智能手機制造商進行測試當中。
據介紹，SK海力士238 層堆疊技術 NAND Flash芯片，與上一代 176層堆疊 NAND Flash芯片相比，最高傳輸速率提升了50%達2.4Gb/s，使得整體的平均讀寫速度提升了約20%，同時制造效率也提高了 34%，使得成本競爭力顯著提升。
SK 海力士表示，最新的238層堆疊的NAND Flash芯片較上一代176層堆疊的產品在價格、性能和質量方面都有世界級的競爭力。SK 海力士預計，這些產品將在下半年推動公司獲利的成長。
SK 海力士表示，采用238層堆疊技術的NAND Flash芯片已于5月投入量產，正在與一家全球智能手機制造商進行測試當中。一旦完成與全球智能手機制造商的產品兼容性測試，將開始為智能手機供應 238 層堆疊的 NAND Flash 芯片產品，并將該技術擴展到其產品組合，例如 PCIe 5.0 SSD 和大容量服務器 SSD 中。
SK 海力士 S238 NAND Flash 負責人 Jumsoo Kim 表示，我們將繼續克服 NAND Flash 技術限制，并提高競爭力，以便在即將到來的市場反彈中，達成比其他任何人都更大的轉變。
值得注意的是，早在去年7月底，美光已率先宣布量產232層堆疊的NAND Flash閃存芯片。去年12月，美光宣布基于其232層堆疊的NAND Flash閃存芯片的SSD模組——美光 2550 NVMe SSD 已正式向全球 PC OEM 客戶出貨，這也是全球首款采用 200 層堆疊以上 NAND Flash 的客戶端 SSD，主要應用于主流筆記本電腦和桌面PC。
