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去耦電路在電子產品中是應用最多的,幾乎所有的多級放大器、不管是分立器件或集成電路都需要去耦電路。去耦電路出了問題,會影響電路的正常工作。

從電路來說，總是存在驅動的源和被驅動的負載。如果負載電容比較大，驅動電路要把電容充電、放電，才能完成信號的跳變，在上升沿比較陡峭的時候，電流比較大，這樣驅動的電流就會吸收很大的電源電流，由于電路中的電感，電阻（特別是芯片管腳上的電感，會產生反彈），這種電流相對于正常情況來說實際上就是一種噪聲，會影響前級的正常工作。這就是耦合。

什么是“去耦”電路呢?

去耦電路指的是在多級放大電路(集成電路芯片內部大多也是由各種多級放大電路組成)的供電電源端對地所加的旁路電容。其容量大可到幾十、上百微法,小也要O.1、0.01微法。加這個電容有什么作用呢?主要是防止來自直流電源內部的耦合使放大器自激,這也就是“去耦”這個名稱的含意。

去耦電容一般作如下作用：

1)旁路掉器件的高頻噪聲（在電源和地之間為高頻噪聲提供低阻抗通路）。一般而言，工作頻率越高，電容值越大，則電容的阻抗越小。

2）作IC的儲能電容，利用電容充放電原理提供和吸收該IC開門關門瞬間的充放電能。

在實際應用中，數字電路中典型的0.1uF去耦電容有5nH的分布電感，并行共振頻率約為7MHz（只對此頻率一下的噪聲有較好的去耦作用）。而1uF、10uF的電容，平行共振頻在20MHz以上，去除高頻噪聲的效果要好些。在電源進入印制板的地方放置一個1uF或10uF的高頻去耦電容往往是有利的，即使是電池供電的系統也需要這種電容。

去藕電容就是起到一個電池的作用，滿足驅動電路電流的變化，避免相互間的耦合干擾。

旁路電容實際也是去藕合的，只是旁路電容一般是指高頻旁路，也就是給高頻的開關噪聲提高一條低阻抗泄防途徑。高頻旁路電容一般比較小，根據諧振頻率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合電容一般比較大，是10u或者更大，依據電路中分布參數，以及驅動電流的變化大小來確定。

去耦和旁路都可以看作濾波。正如ppxp所說，去耦電容相當于電池，避免由于電流的突變而使電壓下降，相當于濾紋波。具體容值可以根據電流的大小、期望的紋波大小、作用時間的大小來計算。去耦電容一般都很大，對更高頻率的噪聲，基本無效。旁路電容就是針對高頻來的，也就是利用了電容的頻率阻抗特性。電容一般都可以看成一個RLC串聯模型。在某個頻率，會發生諧振，此時電容的阻抗就等于其ESR。如果看電容的頻率阻抗曲線圖，就會發現一般都是一個V形的曲線。具體曲線與電容的介質有關，所以選擇旁路電容還要考慮電容的介質，一個比較保險的方法就是多并幾個電容。

去耦電容在集成電路電源和地之間的有兩個作用：一方面是本集成電路的蓄能電容，另一方面旁路掉該器件的高頻噪聲。數字電路中典型的去耦電容值是0.1μF。這個電容的分布電感的典型值是5μH。0.1μF的去耦電容有5μH的分布電感，它的并行共振頻率大約在7MHz左右，也就是說，對于10MHz以下的噪聲有較好的去耦效果，對40MHz以上的噪聲幾乎不起作用。1μF、10μF的電容，并行共振頻率在20MHz以上，去除高頻噪聲的效果要好一些。每10片左右集成電路要加一片充放電電容，或1個蓄能電容，可選10μF左右。最好不用電解電容，電解電容是兩層薄膜卷起來的，這種卷起來的結構在高頻時表現為電感。要使用鉭電容或聚碳酸酯電容。去耦電容的選用并不嚴格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。

耦合電感的去耦等效電路

 (1)互感電壓用CCVS等效代替
   
耦合電感兩線圈的互感電壓各被另一線圈的電流所控制。故根據耦合電感元件的伏安關系，兩種基本的耦合電感模型，就可分別等效為圖(a),(b)所示的含CCVS電路。

圖1去耦電路
 

(2)單側聯接的去耦等效
   
單側同名端聯接和單側異明端聯接分別如下圖(a),(b)所示。根據耦合電感的伏安關系和KCL得到的去耦等效電路，分別如圖(c),(d)所示。

圖2去耦電路

去耦后，耦合電感就成了純電感，就可以用常規的向量法得到順利的分析。