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與前一代S系列器件相比，新的E系列技術使導通電阻降低了30%。根據應用的不同，這些產品可以提供更高的功率密度，使轉換效率更上一層樓。由于這個新平臺具有更低的輸入電容，柵極驅動損耗也減少了。
今天發布的12 E系列器件包括4款22A的MOSFET和4款30A的MOSFET，在10V下的導通電阻分別為190mΩ和125mΩ。22A和30A MOSFET均提供TO-220、TO-220 FullPAK、TO-247和TO-263 (D2PAK)封裝。此外，在10V下導通電阻為64mΩ的47A器件采用TO-247封裝，導通電阻為150mΩ的24A、650V MOSFET提供TO-220、TO-263 (D2PAK)和TO-247封裝。
E系列的超低導通電阻意味著極低的導通和開關損耗，在功率因數校正、服務器和通信電源系統、焊接、等離子切割、電池充電器、高強度放電(HID)照明、熒光燈鎮流器照明、半導體固定設備，太陽能逆變器和感應加熱等高功率、高性能的開關模式應用中能夠節約能源。
器件經過精心設計，可承受雪崩和整流模式中的高能脈沖，并且保證達到通過100% UIS測試所要求的各種極值。MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC。
